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高電圧プラズマ点火における基板レベルのEMIシールド検証
厚さ0.05mmの鋼板は10MHzで64dBの吸収を示すため、基板レベルのシールドは開口部とボンディングによって行われる。200mmのボンディングストラップは50MHzで400nHと126Ωの抵抗値を保持し、4.7nFのフィードスルーは200kHzで15.5dBの減衰量を加える。
高電圧プラズマ点火における基板レベルのEMIシールド検証
工学的な回答
点火基板は、20~200kHzの周波数で20~25kVの電圧を発生させますが、その遮蔽効果は通常、測定されるのではなく、公称値として公表されます。0.05mm厚の鋼板は10MHzで64dBの吸収率を示すため、壁が弱点となることはありません。200mmのボンディングストラップは50MHzで400nHと126Ωの抵抗値を示し、これを1.6nH以下に下げると、測定された遮蔽効果が10dBから30dBに変化します。
- 接着条件を変更する前に、近接場プローブを用いて缶全体の磁場分布をマッピングする。
- 100MHzで、15cm間隔で缶を基板に接着する。
- すべてのkVリード線は、シールド付きフィードスルーを通して配線し、裸線は絶対に使用しないでください。
- 缶は、最も近い10kVノードから15~25mm離して設置してください。
- プローブの位置、SE曲線、および排出証明書をユニットごとに記録する。
抽象
プラズマ点火基板は、20 kV の電圧を発生させている間、一切の電磁波を放射してはなりません。筐体の壁は問題になりません。なぜなら、0.05 mm の鋼板でも 10 MHz で 64 dB の電磁波を吸収するからです。真の制約は、開口部、ボンドストラップのインダクタンス、および kV フィードスルーです。この記事では、近接場検証方法、各弱点の背後にある計算、4 つの課題、6 つの設計手順、および 2 つの領域を静穏に保つコンデンサパラメータについて説明します。
はじめに
プラズマ点火基板には必ず矛盾が伴う。アークを発生させるためには20~25kV、20~200kHzの電圧を発生させる必要がある一方で、そのエネルギーを制御装置、操作パネル、そして工場内の周辺機器から遠ざけなければならないのだ。
基板レベルのシールドが一般的な解決策です。具体的には、シールド缶、シールドフェンス、グランドプレーン、貫通型コンデンサなどが用いられます。高電圧環境では、シールドは実測値ではなく、データシートとCADモデルに基づいて指定されることがよくあります。メッキ鋼製のシールド缶は、レンダリング画像上では説得力のある外観を呈します。
その結果、40dBの遮蔽性能を謳うシールドが、実際には6~10dBしか得られないという事態が生じる。これは、継ぎ目が適切な間隔で接着されていない、接地接続が細いストラップ1本のみである、あるいはkVリード線が大きすぎる穴を通してむき出しの電線として壁を貫通している、といった理由による。
高電圧基板は、もう一つの制約要因となる。kVノードに近すぎる金属缶を配置すると、電界の形状が変化し、局所的な応力が上昇し、部分放電が発生する可能性がある。その結果、シールドはエミッションの問題を絶縁の問題に置き換えることになる。本稿では、20kV点火モジュールの検証方法について述べる。
2. コアメカニズム
2.1 遮蔽効果と吸収項
遮蔽効果とは、入射する電場と透過する電場を比較するものです。
SE(dB) = A + R + B
ここで、SEは遮蔽効果、Aは壁における吸収損失、Rは空気と金属の2つの境界における反射損失、Bは再反射補正である。吸収項は壁の厚さとともに増加する。
A = 8.686 · t / δ, δ = √(2 / (2πf · μ · σ))
ここで、t = 壁厚、δ = 表皮深さ、f = 周波数、μ = 透磁率、σ = 導電率です。導電率が 1.1 MS/m、比透磁率が 500 の鋼の場合、10 MHz での表皮深さは 6.8 µm です。したがって、0.05 mm の箔単体では 64 dB の吸収が得られ、0.5 mm の缶では 640 dB の吸収が得られます。壁の厚さは、実用的な設計を制限することはありません。
2.2 開口部と継ぎ目
すべての開口部は、その遮断周波数を超えると漏洩し始めます。遮断周波数は、開口部の最大寸法によって決まります。
f_c = 150 / d
ここで、f_c はカットオフ周波数 (GHz)、d は最大開口寸法 (mm) です。50 mm の開口部は 3 GHz 以上の周波数では透明であるため、点火周波数では無害です。細長い継ぎ目はスロットのように振る舞い、自身の半波長周波数で共振します。
f_res = 0.15 / L
ここで、f_resはシーム共振周波数(GHz)、Lはシームの長さ(メートル)です。100 mmのシームは1.5 GHzで共振します。これは点火帯域よりも高いため、シームだけでは10 dBの結果を説明することはできません。
2.3 ボンディングストラップが缶をアンテナに変える
缶をベースプレーンに固定する一本のストラップにはインダクタンスがあり、そのインダクタンスによって缶の電位が決まる。
Z_bond = 2πf · L_g
ここで、Z_bond はボンドインピーダンス、L_g はストラップインダクタンス、f は周波数です。20 nH/cm の 200 mm のストラップは 400 nH を保持し、これは 50 MHz で 126 Ω になります。すると缶は点火電流で浮遊し、無害に見えた継ぎ目から放射が始まります。
ボンディングは短く、幅広く、繰り返し行う必要があります。100 MHzでは、波長の20分の1は15 cmです。この周波数で1 Ω未満のボンディングインピーダンスを実現するには、1.6 nH以下が必要であり、これはSMTクリップまたは直接編組によってのみ実現可能です。
2.4 kVフィードスルーと伝導経路
缶から20kVの電圧を伝送するリード線は、壁面終端部が遮蔽されていない限り、それ自体が放熱体となる。セラミック製の貫通コンデンサは、kV線を通過させるのではなく、分流する役割を果たす。
|V_out/V_in| = 1 / √(1 + (2πf · R_src · C_ft)²)
ここで、R_src は点火源のインピーダンス、C_ft はフィードスルー容量です。1 kΩ と 4.7 nF の場合、コーナーは 33.9 kHz に位置するため、フィードスルーは点火の基本周波数 20 kHz で既に 3.6 dB 低下し、200 kHz で 15.5 dB 低下しています。この伝導性低減は缶の放射シールドと相まって機能し、完全に機能するために開口部は必要ありません。
図1 — 壁は10MHzで64dBを吸収するため、測定された遮蔽効果は開口部のサイズ、ボンディングインダクタンス、およびkVフィードスルー容量に従います。
3. エンジニアリング上の課題
問題点1:シールドの有効性は最初の構築段階では決して測定されない
継ぎ目の隙間、ストラップのインダクタンス、開口部の共振などにより、得られるSEはデータシートの値のほんの一部にまで低下します。そして、金型が製作され、費用が支払われてから数か月後のシステムレベルのEMC試験で、その不具合が明らかになります。最初のプロトタイプの近接場マップを作成するだけでも1日かかります。
問題点2:ボンドストラップが缶と共鳴する
20~50 nHの単一のストラップが缶の容量とLC共振器を形成する。30~80 MHzの周波数帯では、この共振器は放射を抑制するのではなく増幅し、増幅器は点火高調波が依然として存在する帯域に位置する。
問題点3:大きすぎる穴にむき出しのkVリード線が通っている
裸線の端は局所的な電界を上昇させるため、貫通孔はあらゆる端から放射され、同じ鋭利な端から部分放電が発生する可能性がある。この放電は、シールドが保護するために取り付けられた測定データに広帯域ノイズを加え、時間の経過とともに絶縁体を劣化させる。
問題点4:缶が電場の形状を変える
点火トランスまたは分圧器の近くに缶を配置すると、ピーク電界が20~40%上昇する。その結果、余裕のない絶縁設計では定格電圧で放電が発生し、シールドが本来防ぐはずだった故障の原因となってしまう。
4. 設計手順
戦略1:接着作業に着手する前に、現場をマッピングする
点火装置を作動させた状態で、缶表面のH電界を10MHz、50MHz、200MHzでスキャンします。継ぎ目、角、貫通部にホットスポットが現れます。点火高調波ごとにSEが30dBに達するまで、ボンディングと開口部のレイアウトを繰り返し調整します。
戦略2:ストラップを多点接着に交換する
缶をベースプレーンに少なくとも15cm間隔で接着してください。これは100MHzにおける波長の20分の1に相当します。短く幅広の編組線または直接SMTクリップを使用し、ネットワークアナライザで接着インピーダンスをチェックし、100MHzで1Ω以下である必要があります。
戦略3:すべてのkVリード線にスクリーン付きセラミックフィードスルーを使用する
各kV信号は、全ノード電圧定格のセラミック貫通コンデンサまたは専用セラミックブッシングを通して配線してください。アセンブリは定格電圧の1.2倍の放電試験でスクリーニングし、5 pC未満である必要があります。裸線を大きすぎる穴に通さないでください。
戦略4:現場シミュレーションに基づいて缶のクリアランスを設定する
シールドモジュールの静電シミュレーションを実行し、缶と最も近いkVノードとの間に10kVあたり15~25mmのクリアランスを確保してください。これにより、缶が電界集中電極として機能するのを防ぎます。
戦略5:伝導経路も検証する
シールドを取り付けた状態で電源ポートの伝導エミッション測定を行い、フィードスルーとフィルタの組み合わせによって150kHz~30MHzの帯域が6dBのマージンでクラスBの制限値以下に抑えられていることを確認してください。シールドによって放射エミッションと伝導エミッションの測定結果は同時に記録する必要があります。シールドは一方を固定し、もう一方には影響を与えない可能性があるためです。
戦略6:検証をリリースパッケージに含める
各ユニットサンプルについて、プローブの位置、SE曲線、排出証明書、および写真を記録してください。これにより、シールドは単なるクレームから、試作品から量産へと引き継がれる特性へと変わります。
| コンポーネントパラメータ | 標準値 | 試験条件 |
|---|---|---|
| 貫通容量 | 4.7 nF N4700 クラスI | 1 MHz、1 V rms |
| 伝導コーナー周波数 | 33.9kHz | 1 kΩ点火源インピーダンス |
| 伝導減衰 | 15.5kHzで200dB | kVリード線上で |
| 定格電圧(HVCT8Gシリーズ) | 10kV DC | 1.5倍の高電圧で60秒間 |
| 測定された遮蔽効果 | 30 dB以上 | 10~200MHz、取り付け可能 |
| 結合インピーダンス | 1Ω以下 | 100 MHz、多点接合後 |
| 温度係数 | ±30ppm /°C | −40℃~+125℃ |
| 誘電正接 | 0.1%以下 | 1 MHz、1 V rms |
| 部分放電 | 5 pC以下 | 定格電圧の1.2倍 |
| 缶とkV間のクリアランス | 10kVあたり15~25mm | 静電シミュレーション |
5. シールド付きフィードスルー用HVCコンデンサ
フィードスルーコンデンサは、その値を維持すると同時に、電気的に安定した状態を保つ必要があります。HVCは、東莞にある自社工場で、1kVから100kVまでのクラスIセラミックフィードスルーコンデンサおよびフィルタコンデンサを製造しています。
ここで重要な6つのパラメータ
- 安定した伝導コーナー。±30 ppm/℃の温度係数により、動作範囲全体にわたって33.9 kHzのコーナーが維持されるため、フィードスルー減衰はユニットごとに再現性があります。
- フィルタ動作時の損失が少ない。0.1%未満の損失率により、部品をスイッチング段の近くに設置しても、局所的な発熱や寿命の短縮を防ぐことができる。
- 各ノードごとに1つの製品ファミリーが用意されています。1kVから100kVまでの定格電圧は、25kV点火フィードスルー、600Vフィルタバス、および低電圧フィルタ段を単一の認定ファイルでカバーします。
- 5 pC以下の部分放電。すべてのフィードスルーは遮蔽されているため、シールドは放射エミッションを伝導放電ノイズに交換しません。
- 厳しい寸法公差。HVC部品は、電極と本体の公差を厳密に管理することで、生産ロット全体でインピーダンス特性が均一になるように製造されているため、試作品の結果をそのまま量産ラインに反映させることができます。
- 現場で実証済みの代替品。40 kV / 441 pF ドアノブコンデンサ 契約上の排出基準がある現場サービスプログラムにおいて、輸入された一次部品を置き換えた。 クロスリファレンス この表は、一般的な輸入部品番号をHVC相当品にマッピングしたものです。
配送とサポート
標準フィードスルーは4~8週間、シールド付きアセンブリは6~10週間で出荷されます。アプリケーションエンジニアリングでは、開口部の設計、ボンディングレイアウト、フィードスルーの選定をサポートします。点火周波数、kVレベル、目標SEをお送りください。HVCは5営業日以内にコンポーネントセットとテストプランを返送します。
6。 よくある質問
Q1:金属製の壁単体では、どの程度の遮蔽効果がありますか?
10 MHz では、0.05 mm の鋼箔は 64 dB を吸収し、0.5 mm の缶はそれよりもはるかに多くの量を吸収します。10 MHz での鋼の表皮深さは 6.8 µm なので、厚さは決して制限要因にはなりません。制限要因は開口部と接合部です。
Q2:なぜ100mmの継ぎ目では故障が発生しないのですか?
100 mmの継ぎ目は0.15/L = 1.5 GHzで共振し、これは20~200 kHzの点火帯域をはるかに超えています。測定された6~10 dBの結果は、通常、ボンディングストラップから得られます。
Q3:どの程度のボンディングインピーダンスが許容範囲ですか?
100 MHzで1 Ω以下、つまり1.6 nHのボンディングインダクタンスを目指します。20 nH/cmの200 mmのストラップは400 nHとなり、50 MHzで126 Ωに達するため、15 cmごとにマルチポイントボンディングを行うのが現実的な解決策です。
Q4:フィードスルーコンデンサーは実際にはどのような働きをするのですか?
これはkVラインをシャーシに分流します。4.7 nFのコンデンサと1 kΩのソースを使用した場合、コーナー周波数は33.9 kHzとなり、フィードスルーは20 kHzで3.6 dB、200 kHzで15.5 dB低下します。これにより、完全な開口部を必要とせずに伝導漏洩を低減できます。
Q5:缶はkVノードにどれくらい近づけることができますか?
10kVあたり15~25mmのクリアランスを確保してください。缶を近づけて配置すると、電界の形状が変化し、ピーク応力が20~40%上昇し、絶縁設計が不十分な場合は定格電圧で放電が発生する可能性があります。
Q6:どの部分を1回の検証実行に含めるべきですか?
スクリーニングされた4.7 nF クラスI誘電体 フィードスルー、 フィルムコンデンサ バスフィルターと 整流ダイオード クランプはすべて同じ伝導経路上に配置されているため、1つのテストプランと1つの近接場マップでそれらをまとめてカバーできます。
7。 リファレンス
- E. クッフェル、WS ザングル、J. クッフェル、 高電圧工学の基礎第2版、ニューネス、2000年。
- モハン、N.、アンダーランド、TM、ロビンス、WP、 パワーエレクトロニクス:コンバータ、応用、設計第3版。ニュージャージー州ホーボーケン:ジョン・ワイリー・アンド・サンズ、2003年。
- MIL-HDBK-217F 通知 2、 電子機器の信頼性予測、1995。
- IEC 60384-1:2021、 電子機器用固定コンデンサ - パート1:一般仕様第6版。ジュネーブ:IEC、2021年。
- V.ベリャエフ、 真空中における絶縁体の表面フラッシュオーバーのモデル、Proceedings ISDEIV. 18th International Symposium on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum、pp. 151-154、1998年。https://doi.org/10.1109/deiv.1998.740596。
- DN ドナホー、M. ペヒト、IK ロイド、S. ガネサン、 湿気による多層セラミックコンデンサの劣化、Microelectronics Reliability、vol. 46、no. 2-4、pp. 400-408、2006年。https://doi.org/10.1016/j.microrel.2005.05.008。
- 高容量・高電圧BME X7R多層セラミックコンデンサの開発、KEMET Electronics (CARTS USA 2011 Proceedings)、https://www.mouser.jp/pdfdocs/2011-03CARTS-DevelopmentofHighCapacitance-HighVoltageBMEX7RMLCCapacitors.pdf 。
- GB/T 7354-2018、 高電压试验技术 局部放電量。 北京:中国标準出版社、2018年。
- G. ダントナとL. ペルフェット、 固有関数展開法による絶縁開閉装置における部分放電の局在化、IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement、vol. 68、no. 5、pp. 1294-1301、2019年。https://doi.org/10.1109/tim.2019.2904806。
- IEC 61000-4-5:2014+AMD1:2017 CSV, 電磁両立性(EMC)– パート4-5:試験および測定技術– サージ耐性試験、第3.1版。ジュネーブ:国際電気標準会議、2017年。
- HVCアプリケーションエンジニアリングチーム、 高電圧セラミックコンデンサ 技術リソース、https://www.hv-caps.com
電圧、静電容量、周波数、取付図、数量をお送りください。HVCは、PDスクリーニングデータと1000時間寿命レポートを添えて、N4700グレードの部品を48時間以内に推奨いたします。
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